Brak towaru

Dysk SSD Gigabyte AORUS Gen4 5000E 500GB M.2 2280 NVMe PCIe 4.0 x4 (5000/3800 MB/s) 3D TLC

Symbol: AG450E500G-G
Dostępność: Brak towaru
238.74
szt.
Zamówienie telefoniczne: 606906465 Zostaw telefon
Wysyłka w ciągu: 24 godziny
Cena przesyłki:
0
  • Kurier (Pobranie) 0
  • Paczkomaty InPost 12
  • Kurier 35
Rodzina dysków: Gen4 5000E

Pojemność dysku: 500 GB

Format dysku: M.2 2280

Typ dysku: SSD

Typ kości pamięci: 3D NAND

Technika zapisywania danych: TLC

Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak

Wsparcie dla technologii TRIM: Tak

Interfejs: PCIe NVMe 4.0 x4

Typ złącza: M.2 (NGFF)

Prędkość odczytu (max): 5000 MB/s

Prędkość zapisu (max): 3800 MB/s

TBW (ang. Total Bytes Written): 300.0

Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h

Informacje dodatkowe: NVMe 1.4, NAND: 3D TLC NAND Flash, Dimension: 80 x 22 x 2,3 mm, Power Consumption (Active): Average : R : 4,0W / W : 4,0W, Power Consumption(Idle)(ASPT on): 20mW, Temperature (Operating): 0°C to 70°C, Temperature (Storage): -40°C to 85°C
Parametry:
Interfejs:
PCIe NVMe 4.0 x4
Typ złącza:
M.2 (NGFF)
Rodzina dysków:
Gen4 5000E
Pojemność dysku:
500 GB
Format dysku:
M.2 2280
Typ dysku:
SSD
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Prędkość odczytu (max):
5000 MB/s
Prędkość zapisu (max):
3800 MB/s
Technika zapisywania danych:
TLC
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
300.0
Typ kości pamięci:
3D NAND

Dane producenta

Gigabyte Technology Co. Ltd.
NO. 6, BAO CHIANG ROAD
231 Xindian Dist., New Taipei
Taiwan

EU.grp@gigabyte.com

Osoba odpowiedzialna

GIGA-BYTE TECHNOLOGY B.V.
Steenoven 24
5626DK EINDHOVEN
Netherlands

EU.grp@gigabyte.com

Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
Jakość
Funkcjonalność
Cena
Podpis
Opinia
Zadaj pytanie
Podpis:
E-mail:
Zadaj pytanie: